对于数据的大型统计来说大数据和物联网的发展是很重要的,然而人们一直期待着更快、更实惠、更可靠的存储产品,而大型数据中心则更关注与能源效率。本文要为大家介绍的,就是东芝BiCS 3D TLC NAND闪存所使用的硅穿孔(TSV)技术。其声称可减少存储应用的功耗,同时保障低延时、高吞吐、以及企业级SSD的每瓦特高IOPS。据外媒所述,这是当前业内首个推向市场的硅穿孔NAND闪存产品。
TSV是指垂直通过硅芯片的电气连接,东芝称这种制造方法有助于提升能源效率和带宽。与当前基于键合(wire-bonding)技术的闪存芯片相比,TSV BiCS闪存芯片可带来两倍能效。
它将堆叠的核心引脚连接了起来,尽管增加了一定的制造复杂度和成本,但最终价格还是可以比其它形式的NAND要便宜一些。目前TSV人多用于堆栈式DRAM,比如AMD在Fuji和Vega高端桌面级显卡上所采用的HBM闪存。
东芝初期将提供512GB和1TB容量、以及1066 Mbps的TSV NAND产品,大小为14×18 mm。八层512GB芯片的厚度为1.35 mm,而16层1TB的芯片厚度为1.85 mm。
该公司称,它已于上月向制造合作伙伴出货基于TSV技术的BiCS 3D TLC闪存芯片,预计样品可在年底前出货。此外东芝也将于8月第二周在圣克拉拉举办的“2017闪存峰会上”展示相关原型。