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氮化铝靶材AlN磁控溅射靶材
发布时间:2020-07-10 08:14

科研实验专用氮化铝靶材AlN磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

     氮化铝(AlN)属类金刚石氮化物、六方晶系,纤锌矿型的晶体结构,**,呈白色或灰白色,是共价键化合物,原子晶体。氮化铝应用於光电工程,包括在光学储存介面及电子基质作诱电层,在高的导热性下作晶片载体,以及作军事用途。由于氮化铝压电效应的特性,氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。

产品参数

中文名 氮化铝             沸点 2249

化学式 AlN                熔点 2200℃

密度 3.235g/cm3           纯度 99.99%

支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!!

服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!

产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备

质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。

加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

     陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!

      我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。

      注意:高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!

      建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。