半导体,制造半导体器件,半导体集成电路装置,半导体热处理类技术资料(168元/全套)

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[8145-0173-0001] 半导体器件及其制造方法
[摘要] 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。
[8145-0075-0002] 电荷耦合器件及其制造方法
[摘要] 本发明涉及电荷耦合器件及其制造方法。采用本发明能够得到具有单层的栅极构造，而且性能良好的电荷耦合器件。该电荷耦合器件是具有单层的栅极构造的电荷耦合器件，具备：形成于半导体基板的栅极绝缘膜、由形成于栅极绝缘膜上的绝缘物构成的多个隔片、以及配置于相邻的隔片间，具有沿隔片的侧部形成的侧面的凹状的栅极。这样，如果以光刻下限尺寸以下的宽度形成隔片，则相邻的栅极间的间隔小于光刻下限尺寸。
[8145-0094-0003] 半导体装置和电光学装置
一种半导体装置，通过在第1基板(11)上形成功能元件(12)，剥离包含一个以上的功能元件(12)的元件芯片13，向第2基板(14)上转印，取得元件酒?13)上的第1焊盘(15)和第2基板上(14)上的第2焊盘(16)的导通而形成的半导体装置中，只在元件芯片(13)的第2基板(14)一侧的表面形成第1焊盘(15)，把功能元件(12)形成在比第1焊盘(15)更远离第2基板(14)的一侧。或者，在元件芯片(13)的远离第2基板(14)一侧的表面只形成第1焊盘(15)，把功能元件(12)形成在比第1焊盘(15)更靠第2基板(14)一侧。由此可增大第1焊盘(15)的面积或宽度。
[8145-0152-0004] 半导体存储装置及其制造方法
[摘要] 提供一种可以提高数据保持特性的非易失性半导体存储装置及其制造方法。在存储元件的上层，具备包含以下群中的至少1个以上的层：添加有氮的硅氧化膜；添加有al的硅氧化膜；al的氧化物；添加有ti的硅氧化膜；添加有氮和al和ti这3种中的2种的硅氧化膜；添加有氮和al和ti这3种的硅氧化膜；ti的氧化物；ti和al的氧化物；由ti、ni、co、zr、cu、pt、v、mg、u、nd、la、sc金属群中之一种组成的单体金属层；由包含这些金属群中2个以上的金属占全体的至少50％以上的二元以上的合金组成的层；由该合金的氮化物组成的层；或者由该合金的氢化物组成的层(例如al₂o₃膜10)。
[8145-0137-0005] 电路基板和电子机器，以及其制造方法
[摘要] 本发明是关于电路基板、电子机器、以及前述电路基板和电子机器的制造方法。本发明的电路基板具有和芯片组件的电极相连的第1电极和第2电极、以及在对应该第1电极和该第2电极的位置形成开口部的第1绝缘层，该第1绝缘层的开口部的形状，至少在该第1电极的边缘部和该第2电极的边缘部当中，位于该芯片组件下方区域不被该第1绝缘层覆盖。
[8145-0064-0006] 半导体存储器
[摘要] 一种半导体存储器，其中，刷新字线选择电路(15)与计数器(16)连接，该计数器(16)与外部时钟信号(clk)同步地生成并输出刷新时钟信号(rclk)。因而，刷新字线选择电路(15)与来自计数器(16)的刷新时钟信号(rclk)同步地一边以自身控制的方式选择多条刷新字线(rwl)，一边周期性地激活该多条刷新字线(rwl)。从而可以省去由dram电路部的外部提供针对dram单元的刷新工作。
[8145-0122-0007] 制造铜镶嵌结构的方法
[摘要] 本发明公开了一种在半导体底材上制作铜镶嵌(damascene)结构的方法。首先，形成介电层于半导体底材上。并蚀刻介电层，以形成开口图案于介电层中，而曝露出部份半导体底材。接着，进行氮化程序以便在开口图案的表面形成氮化表层，以防止后续铜原子的扩散效应。然后，进行化学电镀反应以形成铜层于半导体底材上，且填充于开口图案中。再对半导体底材进行化学机械研磨程序，以移除位于介电层上表面的部份铜层，且定义铜镶嵌结构于开口图案中。随后，形成铜金属矽化层于铜镶嵌结构上表面，而防止铜原子发生扩散效应。
[8145-0171-0008] 晶圆辨识标号的制作方法
[摘要] 本发明系为一种晶圆辨识标号的制作方法，至少包括：提供一晶圆，具有一正面、一背面以及一侧面；以及形成一辨识标号于上述晶圆的侧面。藉由形成一辨识标号于上述晶圆的侧面方法，可以避免传统上将晶圆辨识标号形成于晶圆的正面或背面所造成的问题。
[8145-0172-0009] 半导体器件及其制造方法
[摘要] 一种半导体器件，包括半导体层和形成在半导体层表面上的一个或多个半导体元件，特征在于所述半导体层没有半导体元件的区域划分成多个块，同时被划分的半导体层的各个块具有粘附到各个块的侧面由绝缘层制成的柔性区，以使所述块集成在一起。
[8145-0066-0010] 强电介质存储装置
[摘要] 本发明提供一种强电介质存储装置，在强电介质薄膜的两面分别配置有多根字线及多根位线，存储单元由一个强电介质电容器来构成。这些字线及位线由通过电源电路提供多路驱动电压的字线驱动部及位线驱动部所驱动，从而实施数据的写入、读出及再写入的各种动作模式。并且设有与字线及位线的端部相连接的短路电路，在实施动作模式后，在电源投入和电源断开时将这些字线及位线全部短路。
[8145-0103-0011] 在具有金属图案的半导体基底形成堆叠式介电层的方法
[8145-0156-0012] 半导体存储器及向半导体存储元件的电压施加方法
[8145-0053-0013] 半导体装置及其制造方法、电光学装置、电子机器
[8145-0138-0014] 内装半导体的毫米波段模块
[8145-0048-0015] 半导体器件的制造方法
[8145-0153-0016] 半导体装置及其制造方法
[8145-0009-0017] 具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法
[8145-0117-0018] 接触器、制造此接触器的方法、以及使用此接触器的测试方法
[8145-0010-0019] 用于发白光二极管的燐光体和发白光二极管
[8145-0056-0020] 电子元件的侧吹式散热鳍片组合
[8145-0031-0021] 减少废气排放量的蚀刻方法
[8145-0109-0022] 半导体器件的制造方法
[8145-0037-0023] 改进的光学玻璃制程方法
[8145-0135-0024] 只读存储器的制造方法
[8145-0067-0025] 虚拟接地架构的闪存
[8145-0112-0026] 集成电路结构表面涂覆金属的方法
[8145-0139-0027] 半导体器件
[8145-0120-0028] 一种改善浅槽隔离可靠度的方法
[8145-0174-0029] 复合光致抗蚀剂层结构
[8145-0020-0030] 制造ⅲ-v族化合物半导体的方法
[8145-0084-0031] 压电元件及其制造方法
[8145-0116-0032] 用以量测表面介电常数的探针及其量测方法
[8145-0124-0033] 制造半导体器件的方法
[8145-0148-0034] 半导体集成电路器件及其制造方法
[8145-0024-0035] 用于制造半导体器件的强声波清洗设备
[8145-0002-0036] 半导体器件及其制造方法
[8145-0130-0037] 改善非挥发性存储单元可靠度的方法及其结构
[8145-0140-0038] 适用于接合垫与检测垫的金属垫结构
[8145-0052-0039] 半导体器件的制造方法
[8145-0080-0040] 基于ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法
[8145-0167-0041] 光半导体器件
[8145-0198-0042] 利用离子植入方法制作混合电路元件电容器的方法
[8145-0157-0043] 一种具有电子俘获擦除状态的非易失半导体存储单元及其操作方法
[8145-0063-0044] 半导体集成电路
[8145-0042-0045] 包含等离子体测量装置的等离子体设备
[8145-0045-0046] 使用双波纹技术制造半导体器件的方法
[8145-0038-0047] 电子器件制造装置、电子器件的制造方法以及电子器件的制造程序
[8145-0062-0048] 一种铁电单管锁存结构以及嵌入式不挥发逻辑集成电路
[8145-0216-0049] 低阻抗去耦装置
[8145-0025-0050] 具有高选择比的平坦化方法
[8145-0059-0051] 一种静电放电保护电路
[8145-0129-0052] 自对准可编程相变存储器件及其制造方法
[8145-0018-0053] 细微图案形成方法
[8145-0016-0054] lsi掩模制造系统、lsi掩模制造方法及lsi掩模制造程序
[8145-0090-0055] 增加模拟/数字转换芯片合格率的方法及其产品
[8145-0043-0056] 表面检查方法及表面检查装置
[8145-0058-0057] 半导体芯片封装体
[8145-0019-0058] 形成抗蚀图的方法
[8145-0132-0059] 非易失存储单元的抹除方法
[8145-0029-0060] 减少反应室杂质含量的方法
[8145-0166-0061] 半导体器件
[8145-0159-0062] 遮罩式只读存储器
[8145-0079-0063] ⅲ族氮化物发光二极管及其制造方法
[8145-0026-0064] 具有浮动阻隔环的化学机械研磨头
[8145-0114-0065] 用于制造具有分布在其表面内的金属的模制树脂件的方法
[8145-0078-0066] 太阳能电池模块
[8145-0033-0067] 半导体装置的制造方法
[8145-0097-0068] 可缩短光掩模制造周期的光掩模供给系统
[8145-0145-0069] 用以抑制电感q值下降的电感式结构
[8145-0070-0070] 半导体存储装置
[8145-0069-0071] 包含沟槽式电容的半导体装置及其制造方法
[8145-0200-0072] 形成隔离元件时消除应力与损伤的方法
[8145-0199-0073] 具有沟槽电容的半导体的制造方法
[8145-0098-0074] 防止气体逆流的转接器及方法
[8145-0134-0075] 沟道式编码植入的罩幕式只读存储器的制作方法
[8145-0187-0076] 液体处理装置和液体处理方法
[8145-0086-0077] 音叉型压电振荡片及其制造方法，压电器件
[8145-0175-0078] 半导体元件的线的制造方法
[8145-0082-0079] 热电模块
[8145-0185-0080] 半导体圆片清洗设备
[8145-0030-0081] 能评价工艺性能的等离子体处理装置
[8145-0091-0082] 形成混合性抗反射层的方法
[8145-0034-0083] 电镀金属退火的方法
[8145-0017-0084] 改进微距一致性的方法
[8145-0214-0085] 内存储存节点及其制造方法
[8145-0083-0086] 采用电泳技术制备大面积高温超导钡钇铜氧厚膜的方法
[8145-0068-0087] 半导体器件和采用该半导体器件的半导体存储器
[8145-0168-0088] 发光二极管的结构及其制造方法
[8145-0100-0089] 在半导体器件中形成接触插塞的方法
[8145-0146-0090] 滤波器芯片和滤波器设备
[8145-0170-0091] 用于相变介质存储装置的低热耗小接触面积复合电极
[8145-0154-0092] 存储器结构
[8145-0196-0093] 基于电路静态时延特性的冒险检测和消除方法
[8145-0044-0094] 半导体器件的制造方法
[8145-0049-0095] 半导体装置的制造方法
[8145-0149-0096] 金属-绝缘物-金属电容的集成电路装置及其制作方法
[8145-0158-0097] 半导体存储装置
[8145-0192-0098] 影像感测器封装方法
[8145-0072-0099] 具高介电物质的硅/氧化物/氮化物/氧化物/硅器件架构
[8145-0207-0100] 闪存结构及其制作方法
[8145-0113-0101] 半导体器件的制造方法
[8145-0184-0102] 具有防水窗口的研磨垫
[8145-0101-0103] 使用动态计算工艺参数的研磨方法
[8145-0125-0104] 基于模块变形的集成电路宏模块布图规划和布局方法
[8145-0205-0105] 具有规则镶嵌构造轮廓的制造方法
[8145-0011-0106] 以氮化镓为基底的半导体发光装置
[8145-0195-0107] 翻面芯片以焊蜡球及焊蜡柱加层次性之下层填充结合在基底上
[8145-0107-0108] 形成阻障层的方法
[8145-0089-0109] 集成电路装置及神经元
[8145-0008-0110] 半导体装置及其制造方法
[8145-0004-0111] 输出特性可变型半导体集成电路装置
[8145-0028-0112] 化学机械抛光装置及其控制方法
[8145-0191-0113] 在单面柔性基板背面形成凸点的方法
[8145-0164-0114] 半导体器件的制造方法
[8145-0193-0115] 制造陶瓷芯片封装的方法
[8145-0102-0116] 基板处理装置
[8145-0210-0117] 电光装置、半导体装置及它们的制造方法和投影装置与电器
[8145-0151-0118] 一种存储装置及其护层形成方法
[8145-0213-0119] 保护接触垫下元件的网目图案介层及结构
[8145-0006-0120] 非易失半导体存储器及其制造方法
[8145-0021-0121] 制作多晶硅薄膜的方法
[8145-0208-0122] 使用源极沟渠的分离栅极式快闪存储器元件制作方法
[8145-0096-0123] 订货者可靠地选择接受订货者用的选择方法
[8145-0215-0124] 半导体器件中的布线结构
[8145-0127-0125] 使用双轨电源供应的互补式金氧半晶体管组成的基本标准组件布局
[8145-0057-0126] 制作封装输出输入端点的方法以及其结构
[8145-0040-0127] 电子器件的制造装置、制造方法以及制造程序
[8145-0209-0128] p型氮化硅只读存储器器件的初始化方法
[8145-0085-0129] 可调电容器及其制造方法
[8145-0039-0130] 电子器件制造装置、电子器件的制造方法以及电子器件的制造程序
[8145-0217-0131] 双向过电压与静电放电防护装置
[8145-0060-0132] 利用双接面晶体管的静电放电防护电路
[8145-0108-0133] 半导体热处理用反射板和该半导体热处理用反射板的制造方法
[8145-0027-0134] 基板处理装置
[8145-0023-0135] 一种改善化学机械抛光不均匀度的方法
[8145-0189-0136] 气相有机材料沉积方法和使用该方法的气相有机材料沉积设备
[8145-0142-0137] 具有铜布线的半导体器件
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[8145-0131-0139] 一种降低快闪存储器随机位故障的方法
[8145-0181-0140] 形成具有自我对准的金属氧化物半导体晶体管的方法
[8145-0013-0141] 第ⅲ族元素氮化物半导体元件的生产方法
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[8145-0179-0144] 制作双栅极结构的方法
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[8145-0051-0159] 半导体存储元件的制造方法
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