半导瓷技术专题,半导体装置,半导体陶瓷电子元件,半导体陶瓷组合类技术资料(238元/全套)

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[21497-0037-0001] 晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法
[摘要] 本发明属ⅲ型陶瓷电容器生产中关键工艺之一的半导化烧结及处理方法，其特征是采用高温和触媒作用下得到的氨分解产物一氮氢混合气体替代原来的高纯氮气加高纯氢气作为半导化烧结所需的还原气氛；并在窑炉进出口端形成火帘密封，防止空气进入窑炉，从而使半导化烧结工艺中所用气体的成本下降到仅为原来的１３．６％。采用本发明既降低了生产的总成本，又提高了生产的安全性，特别对规模化生产意义更加重大。
[21497-0061-0002] 固熔体封装ptc半导体陶瓷电热器
[摘要] 一种温度调节装置用的固熔体封装ptc半导体陶瓷电热器，其金属外壳底部往上依次叠放下氧化铝绝缘瓷板、下金属引线板、ptc基片、上金属引线板、上氧化铝绝缘瓷板，上下金属引线板分别有金属电源引线穿过各自的绝缘瓷套管伸出金属外壳，固熔体充满金属外壳内空间，外壳上部有压住固熔体的上盖板。本实用新型封装严密、使用寿命长，ptc基片与引线板接触良好，不易氧化和发生故障，安全可靠，能适应震动、高温等恶劣工作环境。
[21497-0046-0003] 圆台形半导体陶瓷诱导电体高能燃油点火电极
本发明设计开发的是一种燃油高能点火枪的枪头——圆台形半导体陶瓷诱导电体高能燃油点火电极。它是由中心阳电极、圆台形半导体陶瓷诱导电体、外壳阴电极、钢玉陶瓷绝缘体、瓷泥填充物、阴极尾部紧推螺母、阳极尾部紧固螺母、阳极延长线不锈钢氩弧焊接组成。它的特点是能保证点火枪在燃油高温中长期运行，而不损坏枪头重新放电，点燃燃油的功能。该发明生产加工方法简便，极大延长了点火枪头在电厂高温锅炉内的工作寿命。
[21497-0075-0004] 陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件
[摘要] 一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有si的层状触媒物质，以及构成元素中含有si及ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有si及ge。
[21497-0081-0005] 具有平辅式瓷衬的半导体加工设备
[摘要] 等离子体加工室包括一个瓷衬，该瓷衬c瓷砖形式安装在一弹性支承件上。衬里和其它部件如气体分配板和等离子体屏蔽件都可以用sic制造，sic有利于限制等离子体并提供室的内表面温度控制。衬里可以用加热器加热，该加热器通过热传导将热量提供给衬里。为了除去衬里中过量的热，弹性支承件可以是铝制支承框架，该支承框架将热从衬里传导到一温度控制件，如室的顶板上。支承框架可以包括连续式上面部分和分段式下面部分，该分段式下面部分能在等离子体室内加工半导体基片过程中适应热应力。
[21497-0086-0006] 半导性陶瓷元件及其制造方法
[摘要] 本发明涉及一种半导性陶瓷元件，其包括：一半导性陶瓷本体及至少一个陶瓷绝缘层，所述陶瓷绝缘层位于所述半导性陶瓷本体的顶面、底面或其内部，所述陶瓷绝缘层的材质不同于所述半导性陶瓷本体，且所述陶瓷绝缘层的电阻率大于10⁶ω-m。所述半导性陶瓷本体与所述陶瓷绝缘层是一起烧结而成。进而，在后续的电镀制程中，所述陶瓷绝缘层可以保护所述半导性陶瓷本体不被电镀液腐蚀。本发明还关于所述半导性陶瓷元件的制造方法。
[21497-0069-0007] 半导体工艺设备中的含铈氧化物的陶瓷部件与涂层
[摘要] 半导体工艺设备如等离子体腔室的一种抗腐蚀部件，其包含用一种含铈氧化物的陶瓷材料作为部件的最外层表面。含铈氧化物的陶瓷材料包含一种或多种铈氧化物作为其单一的最大组分。该部件可以完全由含铈氧化物的陶瓷材料制造，或者可供选择的，可用这种含铈氧化物的陶瓷在比如铝或者铝合金，陶瓷材料，不锈钢，或者难熔金属的衬底上提供一种层。可以通过一种技术比如等离子喷涂将该含铈氧化物的陶瓷层作为一种涂层提供。在部件和这种含铈氧化物的陶瓷涂层之间可以提供一个或者多个中间层。为了提高这种含铈氧化物的陶瓷涂层的附着力，在沉积该含铈氧化物的陶瓷涂层之前，可以对部件表面或者中间层表面进行一种表面粗糙化处理。
[21497-0022-0008] 半导电陶瓷组合物
[摘要] 本文介绍一种半导电陶瓷组合物，它能使其电阻－温度特征和电阻按要求受控，并使该组合物的点燃温度降至足以便于以低成本成批生产的程度。该组合物包括由sro、pbo和tio₂组成的主要成分，在氧化气氛中点燃。该组合物可包括sio₂和m中至少一种作为次要成分。主要和次要成分的量的变化可使组合物的特征和性能按要求改变。
[21497-0049-0009] 半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件
[摘要] 本发明揭示一种半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件。包含钛酸钡（BATio₃）并具有正电阻温度系数的这种半导体陶瓷材料耐压能力高。在这种半导体陶瓷材料中，在第1温度范围和第２温度范围之间的边界上的边界温度是１８０℃或者高于居里温度（例如３７０℃），其中第１温度范围高于居里温度，并且在这种范围内陶瓷材料具有正电阻温度系数，第２温度范围高于第１温度范围，并且在这种范围内陶瓷材料具有负电阻温度系数。
[21497-0035-0010] 半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件
[摘要] 公开了一种半导体陶瓷，其常数ｂ在升高温度下保持在约４０００ｋ或更高以减少电能损耗，常数ｂ在低温下降至低于４０００ｋ以避免电阻不必要的增加；以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分，至少一种ｌａ、ｎａ、ｋ、ｒｂ、ｃｓ、ｂｅ、ｍｇ、ｃａ、ｓｒ、ｂａ、ｎｉ、ｃｕ和ｚｎ的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。
[21497-0070-0011] 陶瓷膜及其制造方法和半导体装置及压电元件
[21497-0036-0012] 半导体陶瓷及由其制得的电子元件
[21497-0041-0013] 钛酸钡半导体陶瓷粉末和叠层的半导体陶瓷器件
[21497-0079-0014] 陶瓷膜及其制造方法和半导体装置及压电元件
[21497-0033-0015] 正特性半导体陶瓷的制造方法
[21497-0044-0016] 由半导体陶瓷制成的单片电子元件
[21497-0068-0017] 半导体陶瓷芯片型电子被动组件的制作方法
[21497-0089-0018] 晶界层半导体瓷片的烧成联体炉
[21497-0028-0019] 半导体陶瓷
[21497-0056-0020] 陶瓷封装半导体抗电涌器件
[21497-0030-0021] 钛酸钡粉末、半导体陶瓷和半导体陶瓷电子元件
[21497-0009-0022] 陶瓷膜及其制造方法
[21497-0058-0023] 金属陶瓷半导体多功能护目镜
[21497-0005-0024] 晶界层半导体陶瓷电容器制造方法
[21497-0004-0025] 含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造/检测设备的陶瓷基材
[21497-0053-0026] 陶瓷的制造方法及其制造设备以及半导体器件和压电元件
[21497-0019-0027] 半导体陶瓷合成物和半导体陶瓷电容器
[21497-0052-0028] 中低温烧结半导体陶瓷及其液相制备方法
[21497-0024-0029] 钛酸钡系半导体陶瓷材料及制造方法
[21497-0032-0030] 钛酸钡系半导体瓷器组合物
[21497-0082-0031] 具有耐腐蚀层的陶瓷制品、结合了该陶瓷制品的半导体加工设备以及制造陶瓷制品的方法
[21497-0031-0032] 半导电陶瓷和半导电陶瓷电子元件
[21497-0057-0033] 半导体陶瓷组合加热器
[21497-0043-0034] 半导体陶瓷及用其制造的器件
[21497-0077-0035] 同轴封装半导体激光器陶瓷插针
[21497-0072-0036] 半导体生产系统用的陶瓷加热器
[21497-0015-0037] 陶瓷片型半导体二极管及其制造方法
[21497-0060-0038] 正温度系数陶瓷半导体餐盒加热器
[21497-0008-0039] 半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件
[21497-0088-0040] 锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法
[21497-0080-0041] 双金属与陶瓷组成的功率半导体及其制造方法
[21497-0010-0042] 陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件
[21497-0039-0043] 半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件
[21497-0064-0044] 半导体瓷片电容器自动测量联动机
[21497-0011-0045] 陶瓷接合体、其制造方法以及半导体晶片用陶瓷结构体
[21497-0083-0046] 制备用于变阻器的包含金属氧化物的半导体陶瓷的方法
[21497-0003-0047] 电子传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法
[21497-0047-0048] 具有平铺式瓷衬的半导体加工设备
[21497-0034-0049] 钛酸钡系半导体陶瓷
[21497-0090-0050] 一种治疗仪用半导瓷厚膜远红外动态发热治疗头
[21497-0001-0051] 陶瓷膜及其制造方法和半导体装置及压电元件
[21497-0059-0052] 全包型陶瓷半导体绝缘加热装置
[21497-0002-0053] 空穴传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法
[21497-0014-0054] 半导体瓷器及其制造方法
[21497-0025-0055] 一种钛酸锶系半导体陶瓷电容器的制造方法
[21497-0012-0056] 中低温烧结半导体陶瓷的组成和制备方法
[21497-0066-0057] 半导瓷厚膜发热材料
[21497-0078-0058] 用于半导体处理设备的陶瓷件
[21497-0076-0059] 陶瓷加热器、晶片加热装置以及半导体基板的制造方法
[21497-0073-0060] 半导体生产系统用的陶瓷加热器
[21497-0087-0061] 半导体器件中作为低k膜的多孔陶瓷材料
[21497-0029-0062] 采用单层陶瓷基板的芯片大小组件半导体
[21497-0045-0063] 半导体陶瓷电容器的基片生产工艺
[21497-0055-0064] 一种半导化陶瓷元件的封装结构
[21497-0020-0065] 半导体陶瓷组合物
[21497-0042-0066] 单片半导体陶瓷电子元件
[21497-0040-0067] 半导体器件的陶瓷复合布线结构及其制造方法
[21497-0067-0068] 在半导体加工设备中的氧化锆增韧陶瓷组件和涂层及其制造方法
[21497-0074-0069] 由半导体陶瓷制成的ntc热敏电阻元件
[21497-0084-0070] 半导体材料加工设备中的氧化钇涂覆的陶瓷部件及该部件的制造方法
[21497-0062-0071] 半导体陶瓷电热淋浴器
[21497-0017-0072] 高温正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料的制造方法
[21497-0038-0073] 钛酸钡半导体陶瓷
[21497-0023-0074] 半导体陶瓷电容器
[21497-0007-0075] 半导体陶瓷、用于去磁的正温系统热敏电阻器、去磁电路以及制造半导体陶瓷的方法
[21497-0063-0076] 制造半导体陶瓷电容器基片用组合烧结炉
[21497-0065-0077] 半导体陶瓷电容器瓷片半导化工艺方法
[21497-0016-0078] 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
[21497-0054-0079] 陶瓷的制法及其制造装置以及半导体器件和压电元件
[21497-0071-0080] 半导体生产系统用的陶瓷加热器
[21497-0006-0081] 制造srtio3晶界层半导体陶瓷电容器的方法
[21497-0013-0082] 具有正电阻温度系数的半导体陶瓷合成物及其制造方法
[21497-0027-0083] 一种正温度系数半导体陶瓷电极的制造方法
[21497-0050-0084] 半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻
[21497-0018-0085] 陶瓷多层线路板和半导体组件
[21497-0021-0086] 半导体陶瓷的组成
[21497-0085-0087] 半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模
[21497-0091-0088] 一种治疗仪用半导瓷厚膜远红外发热治疗头
[21497-0026-0089] 陶瓷半导体针灸治疗胶带
[21497-0051-0090] 具有负电阻温度系数的半导体陶瓷和负温度系数热敏电阻
[21497-0048-0091] 单片半导体陶瓷电子元件
[21497-0092-0092] 半导瓷厚膜散热器
[21497-k0001-0093] （ba，pb）tio3半导体陶瓷的特殊敏感性及其机理-----[来源：科学通报 日期：2005年8期]
[21497-k0022-0094] 半导体气敏陶瓷的研究方法-----[来源：太原理工大学学报 日期：2003年1期]
[21497-k0052-0095] 钛酸钡系ptcr半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟——ⅱ．烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长-----[来源：功能材料 日期：2001年6期]
[21497-k0023-0096] 半导体陶瓷schottky势垒型器件晶界势垒问题探讨-----[来源：压电与声光 日期：2004年3期]
[21497-k0035-0097] 粉料埋烧的tio2瓷半导化和电学非线性研究-----[来源：功能材料 日期：2005年6期]
[21497-k0028-0098] 半导体陶瓷及用其制造的器件-----[来源：佛山陶瓷 日期：2002年12期]
[21497-k0049-0099] 日本开发出透明半导体陶瓷-----[来源：陶瓷科学与艺术 日期：2003年1期]
[21497-k0030-0100] 半导体陶瓷型薄膜气敏传感器的研究进展-----[来源：功能材料 日期：2004年1期]
[21497-k0056-0101] 特种陶瓷在半导体工业中的应用-----[来源：佛山陶瓷 日期：2000年5期]
[21497-k0037-0102] 化学沉积电极与batio3系ptcr半导瓷的欧姆接触-----[来源：压电与声光 日期：2002年1期]
[21497-k0048-0103] 日本开发出透明半导体陶瓷-----[来源：硅酸盐通报 日期：2003年3期]
[21497-k0057-0104] 透明半导体陶瓷-----[来源：现代材料动态 日期：2003年3期]
[21497-k0050-0105] 湿敏半导体陶瓷感湿机理的理论新模型-----[来源：大学物理实验 日期：2002年3期]
[21497-k0005-0106] batio3半导瓷注凝成型坯体的干燥研究-----[来源：华中科技大学学报：自然科学版 日期：2005年7期]
[21497-k0021-0107] 半导体敏感陶瓷材料在传感器领域的应用-----[来源：仪表技术与传感器 日期：2001年5期]
[21497-k0040-0108] 具有平铺式瓷衬的半导体加工设备-----[来源：表面技术 日期：2002年5期]
[21497-k0047-0109] 日本发明透明电子半导体陶瓷-----[来源：新材料产业 日期：2003年1期]
[21497-k0051-0110] 双施主掺杂batio3半导体陶瓷材料的研究-----[来源：压电与声光 日期：2000年6期]
[21497-k0003-0111] ⅱa族钙钛矿型氧化物半导瓷的结构与特性-----[来源：硅酸盐学报 日期：2001年6期]
[21497-k0018-0112] ta2o5对tio2基压敏陶瓷半导化的影响-----[来源：压电与声光 日期：2005年5期]
[21497-k0014-0113] ptcr陶瓷材料的半导化及显微组织的研究-----[来源：江西科学 日期：2001年4期]
[21497-k0046-0114] 日本towa为半导体封装模具开发出新型陶瓷-----[来源：模具制造 日期：2006年4期]
[21497-k0053-0115] 钛酸钡系ptcr半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟——i．烧结初期的动力学方程及计算机模拟-----[来源：功能材料 日期：2001年6期]
[21497-k0027-0116] 半导体陶瓷粉末制备方法的比较研究-----[来源：渤海大学学报：自然科学版 日期：2005年1期]
[21497-k0033-0117] 单片半导体陶瓷电子元件-----[来源：佛山陶瓷 日期：2002年12期]
[21497-k0060-0118] 用陶瓷制v射线可通过的半导体-----[来源：精细与专用化学品 日期：2003年2期]
[21497-k0008-0119] cdo掺杂对batio3基半导化陶瓷ptcr效应的改善-----[来源：化学学报 日期：2001年11期]
[21497-k0055-0120] 陶瓷基半导体电热膜的研制-----[来源：东北大学学报：自然科学版 日期：2000年6期]
[21497-k0029-0121] 半导体陶瓷湿度变送器线性电路的设计-----[来源：福州大学学报：自然科学版 日期：2003年5期]
[21497-k0020-0122] 半导体封闭模具用新型陶瓷材料-----[来源：机电工程技术 日期：2006年5期]
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[21497-k0031-0125] 表面层型半导体陶瓷电容器的开发及产业化-----[来源：材料导报 日期：2000年9期]
[21497-k0011-0126] mnconicuvo系ntc热敏半导体陶瓷显微结构与电性能研究-----[来源：材料科学与工程学报 日期：2006年4期]
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[21497-k0044-0129] 喷雾造粒粉体对batio3系ptcr半导体陶瓷性能的研究-----[来源：压电与声光 日期：2001年4期]
[21497-k0013-0130] ptcr陶瓷半导化微观机理的初探-----[来源：国外金属热处理 日期：2002年4期]
[21497-k0015-0131] pzt铁电陶瓷的氢致半导体化-----[来源：金属学报 日期：2005年9期]
[21497-k0039-0132] 晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法-----[来源：电子科技大学学报 日期：2003年1期]
[21497-k0025-0133] 半导体陶瓷低湿度湿敏机制的研究-----[来源：内蒙古师范大学学报：自然科学版 日期：2000年1期]
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[21497-k0010-0135] finder-1000x射线能谱仪在半导体陶瓷电容器制程中的应用-----[来源：电子显微学报 日期：2003年6期]
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[21497-k0059-0138] 微波场中烧结batio3系半导体陶瓷的研究-----[来源：压电与声光 日期：2000年2期]
[21497-k0054-0139] 钛酸钠系ptcr半导体陶瓷界面态分析-----[来源：压电与声光 日期：2000年1期]
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[21497-k0004-0150] ast液相掺杂对低电阻率、高抗电强度batio3半导瓷显微结构及电性能影响-----[来源：功能材料 日期：2002年5期]
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[21497-k0061-0153] 由半导体陶瓷制成的单片电子元件-----[来源：佛山陶瓷 日期：2004年12期]
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(1)、银行汇款：本套资料标价(是网传价，不包含邮费，如邮寄光盘加收15元快递费，快递公司不能到达的地区加收22元的邮政特快专递费)汇入下列任一银行帐号（需带身份证），款到发货！
中国农业银行:9559981010260269913    收款人: 王雷
中国邮政银行:602250302200014417     收款人: 王雷
中国建设银行：0600189980130287777   收款人: 王雷
中国工商银行:9558800706100203233    收款人: 王雷
中国    银行：418330501880227509    户  名：王雷
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邮局地址汇款：117002辽宁省本溪市溪湖顺山科报站   收款人: 王雷
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