半导体,发光半导体器件,半导体存储,半导体功率类技术资料(168元/全套)

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[8160-0118-0001] 扩散隐埋极板沟槽ｄｒａｍ单元阵列
[摘要] 公开一种高密集度的衬底沟槽dram单元存储器件及其工艺，毗邻沟槽电容器形成一隐埋区，以使dram转移fet的衬底能与半导体衬底上的其它fet电绝缘。隐埋区的一部分是由深沟槽的侧壁的侧向外扩散形成，另一部分是由完全环绕dram阵列的n阱表面扩散形成的。
[8160-0105-0002] 一种太阳能电池的制造方法及其太阳能电池
[摘要] 一种太阳能电池（１０），具有至少一个半导体衬底表面（１２），其上设有升高部分（２４，２６，２８），在升高部分上构成导出载流子的导电接触层（２０），并至少在导电接触层之间覆盖一层钝化材料（１６）。为了能用简单的工艺制造高效率的太阳能电池，在构成升高部分后将半导体衬底表面全面地或绝大程度全面地用钝化材料覆盖。然后去除掉升高部分上的钝化材料及必要时除去其上的半导体材料。随后在升高部分裸露区域上设置形成导电接触层的材料。
[8160-0201-0003] 一种击穿电压高的薄有源层半导体器件
一个在元件区内的双极晶体管设有一ｐ^＋掺杂基区连接区的ｐ型掺杂基区和ｎ^＋掺杂的发射区。晶体管设有一ｐｎ结位于基区的下侧，并与一场效应晶体管串联连接，场效应管设有ｎ^＋掺杂的漏区连接区。元件区是弱掺杂，从ｐｎ结至ｓｉｏ_２层的距离是小的，因而当给晶体管施加电压时，区域的载流子容易被耗尽。在耗尽层该电压产生低电场强度的电场。它阻碍了基区和漏连接区间的电流穿通。晶体管经得住高压，而只须在公知晶体管所要求的衬底上占用一半的空间。
[8160-0073-0004] 一种半导体器件的制造方法及其制得的器件
[摘要] 为了在具有多个槽的半导体表面上制造注入掩模，需使正性光刻胶层制作在表面上。在第一步中，以光照射要形成注入掩模的光刻胶部分，并在影象转变阶段中变成不溶性物，然后，不要掩模，以光照射该光刻胶并显影，使第一步中没有被光照射过的部分除去。这样制得的注入掩模具有后缩的轮廓，在槽区的窗口沿向槽底的方向而变宽。
[8160-0177-0005] 激光加工方法
[摘要] 一种用于恢复经受结构损伤的硅之类的淀积半导体薄膜晶性的激光退火方法，所述方法包括通过用波长为400nm或更短和脉宽为50nsec或更窄的脉冲式激光束照射在薄膜的表面上激活半导体的步骤，其中，所述淀积薄膜被涂敷透明薄膜，如氧化硅之类的薄膜，其厚度为3至300nm，所采用的入射到所述涂层的激光束的能量密度为e(mj／cm²)，并满足关系式:$log₁₀n≤－0．02(e-350)，#c&其中n是脉冲式激光束的发射数目。
[8160-0144-0006] 静态感应装置
[摘要] 一种静态感应装置（ｓｉ装置）至少包括一个ｓｉ晶闸管结构，一个ｉｇｔ和一个电容器，它们均合装在一单个单片上。该ｓｉ晶闸管具有一个阴极，一个阳极和一个栅区，一个沟道。该ｉｇｔ具有一个位于沟道表面的阱，一个源极和一个漏极位于阱内，一个栅极绝缘膜形成在阱上，并且一个栅电极位于栅绝缘膜上。电容器包括ｓｉ晶闸管的栅区，位于此栅区的栅绝缘膜和栅极。该阴极和漏区通过一高导电极相互连接。
[8160-0127-0007] 形成半导体器件的方法
[摘要] 本发明公开了一种改进了的制造绝缘栅场效应晶体管的方法。该方法包括下列步骤：在绝缘衬底上形成半导体薄膜，在所说半导体薄膜上形成栅绝缘薄膜，在所说的栅绝缘薄膜上形成栅电极，阳极氧化所说栅电极，以形成覆盖栅电极的外表面的氧化物薄膜，按相应的半导体薄膜给栅电极加负电压或正电压。加负电压能有效地消除在正电压进行阳极氧化过程中产生的晶格缺陷和界面态。
[8160-0176-0008] 在集成电路中形成隔离的方法和结构
[摘要] 在集成电路中形成电隔离的方法和结构。利用氮化硅场氧化掩模(18)之下的热生长二氧化硅和化学汽相淀积的二氧化硅叠层(14)实现无缺陷的场氧化隔离。该二氧化硅的叠层(14)形成在硅衬底(12)上，然后再在其上淀积一层氮化硅。继而将氮化硅光刻成型，以形成在硅衬底(12)上限定隔离区(22)的场氧化掩模(18)。在硅衬底(12)的隔离区(22)上生长场氧化物(34)，接着除去场氧化掩模(18)。
[8160-0013-0009] 一种电源装置
[摘要] 本电源装置是一种与现有电源装置完全不同的装置，除了能和现有的电源一样使用外，利用它，还可做耗能而不消耗能源（如煤、天然气、核能等能源）的长明灯、安全灯。估计，不久的将来，本电源装置将被人类广泛应用。另外，根据本发明，还能科学完美地解说万有引力等重要物理问题。
[8160-0074-0010] 日辐射发电
[摘要] 一种大型光电池系统１０，具有一个大型整体式的结构格栅，支撑在一个支柱１６上。该格栅包括以一定角度彼此连接在一起的以形成许多区间的多重结构构件７６和９０，其深度足以使光电池系统具有一定刚度。还包括直接由上述构件支撑的大量透镜组件１４，该组件封闭住格栅的上边。格栅的其他各边也都封闭。所述构件之间的区间内装有多个太阳能电池３８，用以接收各透镜射来的阳光而产生电力。透镜组件与结构格栅的结构构件形成为一个整体。
[8160-0164-0011] 集成电路的制造方法和运用此方法获得的集成电路
[8160-0111-0012] 具有多晶硅薄膜的半导体器件
[8160-0152-0013] 改善效率的压电体驱动器系统
[8160-0033-0014] 发光半导体器件及其制造方法
[8160-0011-0015] 电气薄膜元件
[8160-0135-0016] 一种半导体器件及其制造方法
[8160-0143-0017] 无触点有源可调电阻
[8160-0060-0018] 半导体台面器件钝化工艺
[8160-0147-0019] 圆形玻璃钝化二极体晶粒的制法
[8160-0170-0020] 去除硅中的杂质及提高其少数载流子寿命的方法
[8160-0204-0021] 功率v型场效应管及其制造方法
[8160-0159-0022] 一种获得低表面分凝硅/锗硅异质结构的外延生长方法
[8160-0070-0023] 半导体引线架
[8160-0108-0024] 金属氧化物半导体混成静态感应半导体闸流管
[8160-0110-0025] 类金刚石薄膜作光学增透膜的新应用
[8160-0102-0026] 带反向ｍｉｓｆｅｔ基片的超导场效应晶体管及其制作方法
[8160-0125-0027] 小电流耐热性好的电可擦存储元件
[8160-0006-0028] 热电式燃具熄火保护用热电偶
[8160-0035-0029] 一种硅膜电容压力传感器及其制造方法
[8160-0063-0030] 硅单晶薄片制造晶体管的方法
[8160-0194-0031] 钛酸铋铁电薄膜的制备方法
[8160-0028-0032] 一种制造半导体的方法
[8160-0025-0033] 一种半导体的掺杂技术
[8160-0092-0034] 热循环和老化粘合力高的富银导体组合物
[8160-0107-0035] 提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法
[8160-0121-0036] 可见光致发光的硅量子点制备方法
[8160-0084-0037] 用于板面安装的环氧模塑组合物
[8160-0192-0038] 电子电路
[8160-0037-0039] 半导体器件及其制造方法
[8160-0168-0040] 一种硅双面太阳电池
[8160-0096-0041] 向物体施加力的装置
[8160-0021-0042] 集成电路再生供电法
[8160-0032-0043] 改进了元件隔离结构及布线结构的半导体器件
[8160-0120-0044] 离子注入局部补偿集电区的方法
[8160-0019-0045] 筒形超导厚膜量子干涉器
[8160-0042-0046] 半导体器件的隔离方法
[8160-0097-0047] 用于半导体存储器件的薄膜晶体管及其制造方法
[8160-0082-0048] 半导体基体材料的制作方法
[8160-0010-0049] 硅器件芯片背面银系溅射金属化
[8160-0067-0050] 铟镓砷光电探测器
[8160-0180-0051] 半导体器件的制造方法
[8160-0181-0052] 一种电键或键盘的制造方法和该方法的产品
[8160-0071-0053] 钠灯电子触发器及双向二极硅闸流管
[8160-0112-0054] 双栅衬底极板动态随机存取存储器单元阵列
[8160-0163-0055] 光源及装配发光二极管的技术
[8160-0057-0056] 具有对准标记的半导体器件的制造方法
[8160-0146-0057] 半导体器件
[8160-0053-0058] 整流二极管的制造方法
[8160-0160-0059] 光生伏打电池
[8160-0012-0060] 陶瓷高温超导零件连接法
[8160-0128-0061] 发光二极管显示组件
[8160-0015-0062] 电分色红外接收器件
[8160-0061-0063] 一种压点腐蚀剂及刻蚀工艺
[8160-0039-0064] 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
[8160-0117-0065] 制造欧姆接触的方法和具有欧姆接触的光电池
[8160-0045-0066] 金属薄膜形成方法
[8160-0142-0067] 具有电路化表面和保持涂层的晶片载体
[8160-0072-0068] 一种高压晶闸管制造方法及装置
[8160-0122-0069] 发光线及其制造方法
[8160-0149-0070] 常温一氧化碳气体敏感元件的制备方法
[8160-0131-0071] 专用集成电路样机
[8160-0182-0072] 处理半导体晶片的方法
[8160-0024-0073] 半导体功率器件
[8160-0088-0074] 用于光电应用的均匀集聚太阳光通量的方法和装置
[8160-0126-0075] 晶体管与竖直腔面发射激光器的集成化
[8160-0134-0076] 薄膜晶体管和有源矩阵液晶显示器件
[8160-0174-0077] 厚膜电路的基片及其制造方法
[8160-0047-0078] 在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备
[8160-0171-0079] 激光脉冲检测用光电发射薄膜
[8160-0066-0080] 铟镓砷光电探测器
[8160-0078-0081] 电子零件装配模件
[8160-0213-0082] 高速电路电光采样分析仪
[8160-0018-0083] 电荷耦合器件
[8160-0101-0084] 半导体器件及其形成方法
[8160-0141-0085] 电子器件的冷却装置
[8160-0090-0086] △－掺杂量子阱场效应晶体管的制作方法
[8160-0002-0087] 半导体器件及其制造方法
[8160-0207-0088] 防止液体中杂质附着的溶液和使用它的腐蚀方法及装置
[8160-0209-0089] 镓铟砷(gAInas)横向光电晶体管及其集成技术
[8160-0202-0090] 一种介质隔离半导体器件及其制造方法
[8160-0218-0091] 电可擦可编程只读存储器,有其之存储器件和集成电路板
[8160-0162-0092] 具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器
[8160-0189-0093] 圆形玻璃钝化二极体晶粒的制法
[8160-0215-0094] 用于电子元件制造框架的预处理方法和设备
[8160-0062-0095] 用于电子电路组件的壳体
[8160-0184-0096] 双膜复合氢敏器件及其制备方法
[8160-0179-0097] 利用二步退火制造pn结的技术
[8160-0023-0098] 用背面曝光和非镜面反射层光刻形成自对准掩模的方法
[8160-0200-0099] 晶体管及其制作方法
[8160-0211-0100] 太阳电池
[8160-0175-0101] 半导体器件及其制造方法
[8160-0058-0102] 半导体部件及其制造方法
[8160-0187-0103] 半导体器件及其制造方法
[8160-0093-0104] 在顺序多层基片中集成淀积垂直电阻
[8160-0085-0105] 片式陶瓷铝扩散源
[8160-0008-0106] 砷化镓衬底上的混合并质外延
[8160-0185-0107] 组合线圈感应耦合高密度等离子体源
[8160-0048-0108] 消除热应力的混合微电子器件
[8160-0005-0109] 制造紫外增强型光电二极管的方法
[8160-0191-0110] 制造薄膜晶体管的方法
[8160-0030-0111] 含静电电容元件的半导体装置及其制造方法
[8160-0075-0112] 光致负阻器件
[8160-0217-0113] 半导体存储器及其类型的设置方法
[8160-0214-0114] 半导体器件及其制造方法
[8160-0157-0115] 一种具有双负阻特性的负阻器件
[8160-0156-0116] 叠层型陶瓷元件的制造方法
[8160-0043-0117] 具有埋入电极的半导体器件
[8160-0079-0118] 蓝-绿激光二极管
[8160-0130-0119] 绝缘半导体管壳
[8160-0031-0120] 半导体元件的电极和具有电极的半导体器件及其制造方法
[8160-0113-0121] 互补金属氧化物半导体集成电路
[8160-0026-0122] 一种开管铝镓扩散工艺
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[8160-0038-0125] 一种制造半导体元件的方法和由此方法制成的太阳能电池
[8160-0203-0126] mis半导体器件及其制造方法
[8160-0190-0127] 形成半导体器件接触塞的方法
[8160-0161-0128] 半导体存储器及其制造方法
[8160-0022-0129] 高光电转换效率的p-n结硅光电二极管
[8160-0009-0130] 低电容大面积半导体光电检测器及光电检测系统
[8160-0104-0131] 熔断•壳式气敏元件结构
[8160-0046-0132] 压电致动器
[8160-0087-0133] 制造半导体器件的方法
[8160-0109-0134] 电容热电器件
[8160-0094-0135] 扩散法制作电路图案的方法和组合物
[8160-0140-0136] 半导体器件以及形成该器件的方法
[8160-0210-0137] 离子束致多重精细打印平面微细加工工艺
[8160-0216-0138] mis半导体器件及其制造方法
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[8160-0049-0146] 一种大功率压电陶瓷材料
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[8160-0054-0151] 一种光控双向晶闸管的设计
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中国邮政银行:602250302200014417     收款人: 王雷
中国建设银行：0600189980130287777   收款人: 王雷
中国工商银行:9558800706100203233    收款人: 王雷
中国    银行：418330501880227509    户  名：王雷
欢迎通过淘宝、有啊、拍拍等第三方平台交易，请与QQ：547978981联系办理。
邮局地址汇款：117002辽宁省本溪市溪湖顺山科报站   收款人: 王雷
汇款后请用手机短信（13050204739或13941407298）通知，告诉所需技术光盘名称、编号、数量及收货人姓名、邮政编码和详细地址。（如需网传请告邮箱地址或QQ号）
单位：辽宁日经咨询有限公司（技术部）
地址：辽宁省本溪市溪湖顺山科报站
联系人：王雷老师
电  话：0414-2114320   3130161
手  机：13941407298   13050204739
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