半导体,半导体元件,制造半导体器件,半导体封装类技术资料(168元/全套)

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[8110-0131-0001] 对包含第viii族金属的表面采用氧化性气体的平面化方法
[摘要] 一种平面化方法，其中包括提供包含第二和/或第三行viii族金属的表面(优选包含铂的表面)，在包括氧化性气体的平面化组合物存在下，将其放到与抛光表面接触的位置上。
[8110-0206-0002] 半导体集成电路器件的制造方法
[摘要] 以低成本有效地对包括半导体存储器的半导体集成电路器件进行存储器测试。在老化测试系统中，利用时间差依次处理24个测试板，且测试板被一个接一个地循环。在此情况下，利用单板处理的顺序进行存储器测试：从其中已插入半导体集成电路器件的测试板开始测试，并从已经历测试的测试板为起点卸下半导体集成电路。
[8110-0096-0003] 评估半导体制程的方法
一种评估半导体制程的方法，先以包含一待评估半导体制程的制作方法制作一半导体结构，该制作方法包含形成一多晶硅层于一基材之上，其中该多晶硅层具有一掺杂浓度，再于该多晶硅层表面进行一洗净制程，之后依序形成一隔离层以及一加强层于该隔离层之上，其中该加强层的形成温度高于该隔离层的形成温度。而后，观察该多晶硅层与该隔离层间是否存在水痕缺陷，并计算水痕缺陷的数量，再根据该水痕缺陷的数量判断该半导体制程的优劣程度。
[8110-0207-0004] 使用具有真空通道的机械开槽的存储托盘的管芯级检验
[摘要] 一种使用具有真空通道的机械开槽的存储托盘的检验管芯的方法。本方法包括在管芯上抽真空同时将管芯保持于存储托盘中，使用自动观察系统绘制在存储托盘的储槽中管芯的位置图。利用该位置图，相对检验探针移动存储托盘，以便在离散管芯和检验探针之间进行接触和检验。
[8110-0035-0005] 一种形成双大马士革结构中刻蚀阻挡层的方法
[摘要] 本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了能够简化工艺，并对材料的介电常数进行调节，提出两种形成介质间抗刻蚀层的方法，分别针对有机和无机lowk材料。当使用无机lowk材料时，在cvd淀积的最后阶段，加入一些其它气体，通过反应，形成新的材料，如sion作为刻蚀阻挡层。而对于有机lowk材料而言，在旋涂结束后的烘焙过程中通入一些气体进行表面处理，或者在有机lowk材料(没有完全固化时)进行离子注入、等离子体处理，使用如含n基团，使表面发生变性，形成新的抗刻蚀层。
[8110-0010-0006] 半导体器件的制造装置
[摘要] 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。
[8110-0087-0007] 应用于微影制程的结构及半导体元件的制造方法
[摘要] 本发明是有关于一种应用于微影制程的结构及半导体元件的制造方法。该应用于微影制程的结构，是依序由配置在一基底上的至少一膜层、一光线阻隔层、一抗反射层以及一光阻层所组成。在微影制程中，光线阻隔层可用以阻挡光线穿透至底下的膜层。在本发明中，因为光阻层的底下是配置有光线阻隔层，所以曝光的光线就无法穿透光阻层底下的膜层再由基底表面反射出。换言之，光阻层底下的膜层厚度的变化将不会影响微影制程的关键尺寸，从而更加适于实用。
[8110-0061-0008] 一种化学-机械抛光浆料和方法
[摘要] 本发明提供一种在金属镶嵌结构的制作过程中移除阻挡层所用的化学-机械抛光浆料。本发明的浆料包括可抑制在下面的含硅电介质层移除速率的试剂。目前，在本发明的最优选实施例中，可抑制在下面的含硅电介质层移除速率的试剂是左旋赖氨酸和/或左旋精氨酸。本发明也提供一种在金属镶嵌结构的阻挡层的化学-机械抛光过程中可抑制下面的含硅电介质层的移除速率的方法。本发明的方法包括用包含有可抑制所述的在下面的含硅电介质层的移除速率的试剂的浆料抛光阻挡层。
[8110-0157-0009] 半导体器件的制造方法
[摘要] 本发明的一个目的是提供一种不损伤剥离层以进行不仅剥离具有小尺寸区域的剥离层而且剥离具有大尺寸区域的整个剥离层、具有较好的成品率的剥离方法。在本发明中，在粘贴固定基板后，通过划线或在玻璃基板上进行其引起提供了触发的激光照射来移除一部分玻璃基板。然后，通过从移除了的部分进行剥离，实现具有较好的成品率的剥离。另外，除了端子电极的连接部分(包括端子电极的外围区域)之外，通过用树脂覆盖整个表面来防止破裂。
[8110-0089-0010] 一种避免漩涡效应缺陷的方法
[摘要] 一种避免漩涡效应缺陷(swirl defect)的方法，包括步骤：以物理气相沉积法(pvd)形成铜种子层(seeding layer)于一底材之上；将形成的铜种子层储存于pod之中以阻隔氧气或其它有机气体与铜反应；将该底材加载一旋转装置中于进行干旋转(于空气中旋转)；以化学电镀(electrical chemical plating)技术在该pvd种子层(seeding layer)上形成所要厚度的铜薄膜。
[8110-0134-0011] 具有过程控制组件的半导体晶片
[8110-0159-0012] 薄膜形成方法和装置、有机电致发光装置的制造方法
[8110-0142-0013] 有机半导体溶液
[8110-0190-0014] 制造半导体器件的方法
[8110-0043-0015] 集成电路芯片结构
[8110-0106-0016] 非挥发性内存元件的制造方法及金属内连线制程
[8110-0138-0017] 功率半导体模块
[8110-0145-0018] 半导体电路器件及其设计方法和半导体电路的设计方法
[8110-0184-0019] 具有独立限位环和多区域压力控制结构的气动隔膜式抛光头及其使用方法
[8110-0063-0020] ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及ⅲ族氮化物系化合物半导体元件
[8110-0041-0021] 散热装置及其制备方法
[8110-0167-0022] 激光照射方法以及晶质半导体膜的制作方法
[8110-0175-0023] 改善热载子注入效应的方法
[8110-0091-0024] 晶圆快速冷却退火的方法和装置
[8110-0117-0025] 超导饱和铁心故障限流器
[8110-0200-0026] 形成倒装芯片的凸块焊盘的方法及其结构
[8110-0015-0027] 一种可以减小栅特征尺寸的两步削减刻蚀工艺
[8110-0189-0028] 半导体装置的制造方法
[8110-0102-0029] 用于制造半导体晶片的半色调掩模的制造方法和结构
[8110-0080-0030] 发光二极管
[8110-0083-0031] 具有安全保护功能的密码芯片的制备方法
[8110-0075-0032] 半导体器件及其制造方法
[8110-0100-0033] 集成电路布局数据的处理方法
[8110-0110-0034] 生产芯片级封装用焊垫的方法与装置
[8110-0137-0035] 形成极限尺寸的电连接装置的方法及包含该装置的器件
[8110-0169-0036] 半导体器件的制作方法
[8110-0018-0037] 晶圆喷洗装置
[8110-0129-0038] 曝光装置、基片处理系统和器件制造方法
[8110-0126-0039] 使用衰减相移反射掩膜在半导体晶片上形成图案的方法
[8110-0197-0040] 微电子电路的平面型载体空腔气密性封装方法
[8110-0153-0041] 衬底处理器件及其清洗方法
[8110-0165-0042] 激光束图案掩模及采用它的结晶方法
[8110-0125-0043] 传送晶片的工具和外延生长台
[8110-0016-0044] 一种新的超薄含氮栅介质制备方法
[8110-0139-0045] 由光敏和/或x-射线敏传感器组成的传感器设备
[8110-0047-0046] 大功率mos晶体管及其制造方法
[8110-0037-0047] 高精度模拟电路芯片制造方法
[8110-0185-0048] 半导体晶片的清洗方法
[8110-0132-0049] 半导体功率器件和形成方法
[8110-0003-0050] 用于高密度等离子体制程的注射装置
[8110-0181-0051] 从半导体晶片上移除不必要物质的方法及使用其的装置
[8110-0143-0052] 用于显示装置的密封结构
[8110-0203-0053] 半导体芯片及其制造方法、和半导体装置
[8110-0024-0054] 一种减少通孔侧壁上mocvd tin膜厚的等离子体处理工艺
[8110-0172-0055] 半导体器件中形成插孔接触点的方法
[8110-0170-0056] 制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法
[8110-0111-0057] 直接连结式芯片封装结构
[8110-0109-0058] 半导体元件的结构
[8110-0012-0059] 可保持图形完整性良好的厚外延方法
[8110-0048-0060] 画素结构与薄膜晶体管阵列及其修补方法
[8110-0095-0061] 晶片金属互连线可靠性在线测试方法
[8110-0001-0062] 半导体发光器件及制造方法、集成半导体发光设备及制造方法、图像显示设备及制...
[8110-0077-0063] 2f2存储器件的系统和方法
[8110-0216-0064] 用于低k介电材料的包括回蚀的镶嵌互连结构
[8110-0092-0065] 一种制作具有延伸闸极晶体管的方法
[8110-0174-0066] 在半导体器件中形成栅极的方法
[8110-0006-0067] 具有清除装置的气体处理装置
[8110-0176-0068] 具有金属栅电极和硅化物触点的fet栅极结构
[8110-0161-0069] 用于制造半导体器件的方法
[8110-0133-0070] 在连续多步抛光处理中防止晶片损伤的方法
[8110-0215-0071] 半导体器件的制造方法
[8110-0073-0072] 决定集成电路esd/闩锁强度之方法
[8110-0179-0073] 衬底表面清洗方法、薄膜制造方法、半导体装置及其制法
[8110-0103-0074] 利用注入晶片的注入机的低能量剂量监测
[8110-0151-0075] 显示装置及其制造方法
[8110-0182-0076] 氮化物系化合物半导体元件的制造方法
[8110-0158-0077] 半导体组件制造系统及其热力补偿次系统
[8110-0212-0078] 电子装置的通用矩阵托盘
[8110-0057-0079] 用于智能结构的形状记忆合金增强型压电驱动器及制作工艺步骤
[8110-0060-0080] 有机发光二极管的制作方法
[8110-0154-0081] 清洗高介电常数材料沉积室的方法
[8110-0162-0082] 制造半导体器件中的电感的方法
[8110-0205-0083] 电子部件、电子部件制造方法及电子器械
[8110-0072-0084] 半导体辐射衬底及其生产方法和组件
[8110-0007-0085] 在具有图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法
[8110-0119-0086] 玻态转变衬底上的光滑层和阻挡层
[8110-0196-0087] 通过使用一个矩阵框架来制造一个半导体装置的方法
[8110-0104-0088] 带有氧化层隔离物的dram结构及其制造方法
[8110-0128-0089] 电化学边缘和斜面清洁工艺及系统
[8110-0004-0090] 控片回收再生方法以及其控片结构
[8110-0033-0091] 一种集成电路制造工艺技术中的浅沟隔离工艺
[8110-0211-0092] 静电卡盘、基片支持、夹具和电极结构及其制造方法
[8110-0115-0093] 半导体集成电路隧道氧化窗口区域设计的结构及方法
[8110-0093-0094] 用于钛硅化物制造工艺窗口的pmos的制作方法
[8110-0097-0095] 定位结构及其定位方法
[8110-0085-0096] 半导体制程设备的清洁方法
[8110-0113-0097] 立体集成电感及其制造方法
[8110-0051-0098] 采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
[8110-0027-0099] 核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法
[8110-0053-0100] 分段温差电元件
[8110-0188-0101] 形成介电薄膜的方法
[8110-0069-0102] 次载具和半导体组件
[8110-0021-0103] 一种利用二氧化硫混合气体消除有机物的等离子刻蚀方法
[8110-0078-0104] 单片半导体压电器件结构和电-声电荷传送器件
[8110-0094-0105] 无导线架的晶片封装方法
[8110-0112-0106] 用于将铜与金属-绝缘体-金属电容器结合的方法和结构
[8110-0067-0107] 半导体装置及其制造方法
[8110-0187-0108] 半导体装置制造方法及其半导体装置
[8110-0076-0109] 具有纵向超薄体晶体管的折叠位线动态随机存取存储器
[8110-0038-0110] 一种高压集成电路的制造方法
[8110-0198-0111] 半导体器件的制造方法
[8110-0177-0112] 形成用于半导体器件的栅极结构的方法和半导体器件
[8110-0123-0113] 金属容器结构的平面化
[8110-0217-0114] 半导体装置的制造方法
[8110-0171-0115] 多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
[8110-0127-0116] 为电处理工艺提供电接触的方法和系统
[8110-0194-0117] 制造应变mosfet的结构和方法
[8110-0019-0118] 晶片键合表面处理剂及晶片键合方法
[8110-0156-0119] 硅结晶设备及硅结晶方法
[8110-0155-0120] 蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法
[8110-0098-0121] 在集成电路器件的大马士革铜工艺中电容器制造的方法及其结构
[8110-0044-0122] 半导体封装构造
[8110-0163-0123] 用于制造电子器件的结构体及使用它的电子器件制造方法
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[8110-0144-0128] 显示装置及其制造方法
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[8110-0099-0130] 控制回蚀刻截面轮廊的方法和装置
[8110-0218-0131] 预防双重金属镶嵌结构的金属漏电的氮化物阻障层
[8110-0164-0132] 图形形成方法
[8110-0147-0133] 半导体装置的制造方法、半导体装置、电路基板、电子设备
[8110-0118-0134] 可控电阻型超导故障限流器
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[8110-0036-0139] 使用光敏感材料有孔填涂大马士革的工艺
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[8110-0046-0146] 非挥发性存储器结构及其制造方法
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