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供应电路,半导体集成电路器件,处理电路,检测电路最新技术汇编(168元/全套)
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电路,半导体集成电路器件,处理电路,检测电路最新技术汇编(168元/全套)

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[2104-0124-0001] 半导体器件及其制造方法
[摘要] 一种对布线上的等离子体SiOF氧化层有良好键合性能并对掩埋布线间隔部位有良好掩埋性能的半导体器件。它在半导体衬底上淀积形成一层要作布线基底的金属层,在金属层上淀积形成一层难熔金属或其化合物的抗反射层,并在抗反射层上淀积形成一层绝缘层。之后,加工绝缘层图形并用其作掩膜刻蚀抗反射层和金属层加工布线图形并在布线上留有抗反射层和绝缘层。再将加工成图形的布线连同抗反射层和绝缘层一起掩埋入SiOF层。
[2104-0053-0002] 具有珀尔帖器件的光电元件模块
[摘要] 一种光电元件模块包括光电元件、冷却光电元件的珀尔帖单元和封装该光电元件和帖尔帖单元的管壳。光电元件直接或通过一固定部件间接安装在珀尔帖单元的第一表面上。珀尔帖单元的第二表面通过接合结构与管壳的安装面接合,同时使珀尔帖单元能沿管壳的安装面移动。由珀尔帖单元的第二表面和管壳的安装面的热膨胀系数间差别产生的热应力被沿管壳安装面相对于管壳的珀尔帖单元的位置移动释放掉。接合结构产生用于接合的一磁场力或弹性力。
[2104-0052-0003] 制造互补MOS半导体器件的方法
一种制备互补MOS半导体器件的方法,其步骤为:在半导体衬底的主表面上形成栅绝缘膜;在所说栅绝缘膜上形成第一非晶硅膜;在所说第一非晶硅模的表面上形成约1nm厚的氧化物膜;在所说氧化物膜上形成第二非晶硅膜;退火所说第一和第二非晶硅膜,以便所说第一和第二非晶硅膜结晶;将所说第一非晶硅膜和所说第二非晶硅膜形成为栅极,同时将n型杂质离子注入到nMOSFET区中,将p型杂质离子注入到pMOSFET区中;用快速热退火激活所说n和p型杂质。
[2104-0212-0004] 一种半导体器件
[摘要] 一种带有安装于其散热片上的片状器件半导体器件。该散热片的形状为其中央部分比两端部分位置高。一个片状器件安装于散热片中央部分的下表面上,而该散热片的中央部分的上表面从树脂部分中暴露出来。由于散热片的中央部分下表面安装着片状器件,而其上表面从树脂部分中暴露出来,则由片状器件产生的热量可以有效地散发出去。
[2104-0156-0005] 用于半导体存储器件的数据读出电路
[摘要] 本发明涉及一种高速锁定读出放大器的半导体存储器件的数据出电路,包括用于接收来自存储单元阵列的输出数据的锁定读出放大器和电流镜像型读出放大器,用于将来自信号延迟单元的输出信号和来自电流镜像型读出放大器的输出信号相比较的比较单元,用于接收来自比较单元的同信号并输出一个脉冲信号的脉冲发生器,以及控制器和组合单元。
[2104-0181-0006] 改善高崩溃电压的半导体功率整流器电压突降的方法
[摘要] 本发明提供一种改善高崩溃电压的半导体功率整流器电压突降的方法,藉由在半导体基材及磊晶层之间设立隔绝层,即可使半导体基材上的晶格微缺陷不致影响到磊晶层,因此可以避免逆向电压突降现象,进而使此半导体功率整流器即使在450伏以上的高崩溃电压下也可工作。
[2104-0060-0007] 视频信号重放电路
[摘要] 本发明的目的在于提供一种采用铌酸锂基片制作的表面声波滤波器2并对其温度-频率特性进行补偿,且整体结构简单、生产成本低廉的视频信号重放电路。其具有接收播放信号并将其变换成中频信号的调谐部分1;连接在调谐部分1的输出端上的表面声波滤波器2,使调谐部分1或者调谐部分1和视频均衡电路4分别具有温度-频率特性,产利用此特性,来抵消表面声波滤波器2的温度-频率特性。
[2104-0111-0008] 恒磁电磁接触器/继电器
[摘要] 本发明包括壳架、触点、触点动作机构、线圈,触点动作机构由永久磁铁、铁棒、支架组成。其中:线圈套在铁棒上,铁棒支承在支架上,永久磁铁固定在支架上对应铁棒端头的位置。它利用给线圈通以正反向直流电,在铁棒上产生两种不同方向的磁场,再利用铁棒磁场与永久磁铁间同性相斥、异性相吸的原理来控制接触器或继电器动作。接触器或继电器动作后,由于铁棒已被永久磁铁牢牢吸住,故不需继续给线圈通电。它具有节能、工作时无噪音、防爆、制造工艺简单的优点。
[2104-0169-0009] 电缆连接器和配有这种连接器的监视器
[摘要] 一电缆连接器和配有这种电缆连接器的监视器,它可以减少连接器和用于固定连接器的托架的变形,其中,连接器包括:一外壳套筒,外壳套筒中包括用于将连接器固定到PCB上的件和贯穿连接器径向的孔;一销,它安装到外壳套筒的通孔中,并固定到PCB上,其一端沿径向被分成四片,用于向PCB传送电信号;和一绝缘件,它置于销和外壳套筒之间。
[2104-0093-0010] 半导体器件及其制造方法
[摘要] 提供制造半导体器件的方法,其特征在于,通到半导体衬底(1)的第一接触孔(8)和通到第一布线层(4)的第二接触孔(9,9A)是同时在第三步骤中形成的,通到半导体衬底(1)的第三接触孔(18)和通到第二布线层(11)的第四接触孔(19,19A)是同时在第六步骤中形成的。上述方法减少了制造半导体器件所使用的掩模的数量,并使成品率提高,在栅极上形成接触孔的可设计性提高。
[2104-0164-0011] 单元扫描控制器
[2104-0096-0012] 非易失性半导体存储器件的擦除方法
[2104-0114-0013] 球点阵半导体器件外壳及其制造工艺
[2104-0007-0014] 以机载GPS电子地图预禁止系统,扼制自杀性劫机事件的抗偏航自适应驾驶仪
[2104-0172-0015] 可设定升、降压时间及高、低压保护过电流的稳压电路装置
[2104-0159-0016] 碱性电池
[2104-0022-0017] 数模转换方法
[2104-0097-0018] 半导体器件及其输出电路
[2104-0083-0019] 可变电容器及其电感--电容的组合部件
[2104-0180-0020] 印刷电路板
[2104-0054-0021] 半导体存储器件
[2104-0153-0022] 电子装置、电子装置的测定装置以及测定方法
[2104-0182-0023] 一种能有效复位子字线的半导体器件
[2104-0162-0024] 水性墨用喷/涂/印刷基材表面处理剂组合物
[2104-0211-0025] 线切割放电加工控制方法与装置
[2104-0012-0026] 使用共享电路的合成GPS定位系统及通信系统
[2104-0071-0027] 半导体器件成膜方法
[2104-0157-0028] 陶瓷/铝共连续复合材料的制造方法
[2104-0165-0029] 模块合成装置及模块合成方法
[2104-0204-0030] 产生短时同步延迟信号的电路及使用该电路的倍频电路
[2104-0100-0031] 一种发电机灭磁电路
[2104-0078-0032] 回路基板
[2104-0200-0033] 利用微波的低温、低浸泡率、无张力和短期染色法及装置
[2104-0048-0034] 调幅多路广播装置
[2104-0127-0035] 加工电池卷绕体的装置及传送电池卷绕体的装置和方法
[2104-0210-0036] 半导体基片及其制作方法
[2104-0074-0037] 集合基板及采用该集合基板的电子产品的制造方法
[2104-0050-0038] 硅化物层和绝缘层之间不发生分离的半导体器件加工工艺
[2104-0011-0039] 在GPS信号接收机中使用的延迟锁相环
[2104-0137-0040] 半导体器件及其制造方法
[2104-0176-0041] 半导体器件的电路校验方法
[2104-0178-0042] 平板导体的电连接器
[2104-0170-0043] 半导体延迟电路
[2104-0193-0044] 半导体器件的制作方法
[2104-0126-0045] 在半导体芯片进行接合的构造和应用该构造的半导体装置
[2104-0099-0046] 环扣型手持电控装置
[2104-0129-0047] 波纹管和用管子作为套的导线束
[2104-0039-0048] 地线接头
[2104-0091-0049] 电连接器及其制造方法
[2104-0088-0050] 半导体基板和层叠的半导体封装及其制作方法
[2104-0152-0051] 控制无线电装置的发射输出的方法
[2104-0173-0052] 制造半导体器件的清洗组合物和用其制备该器件的方法
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[2104-0034-0054] 半导体器件中的互连系统
[2104-0136-0055] 欧姆电极的形成方法及半导体装置
[2104-0202-0056] 集热管以及采用该集热管的热水装置
[2104-0168-0057] 相邻电路之间平面和非平面柔性电连通的方法和设备
[2104-0104-0058] 一种固体电解质及其制备方法和用途
[2104-0030-0059] 用于衰减谐波电流的电路
[2104-0040-0060] 电话单线多机系统
[2104-0121-0061] 用于直接点燃电站煤粉锅炉的等离子点火装置
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[2104-0021-0077] 半导体存储器件
[2104-0128-0078] 半导体器件的制备方法及用该方法形成的多层布线结构
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