石英坩埚技术配方工艺资料,铸铁坩埚,涂层坩埚,坩埚表面最新技术汇编(198元/全套)

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[25508-0028-0001] 石英玻璃坩埚
[摘要] 本发明涉及一种用于拉制硅单晶体的石英玻璃坩埚，其包括一个具有开孔和封闭孔的致密烧结区域的石英玻璃成形体，在所述石英玻璃成形体的内侧有不透气釉料，外侧具有多孔性。
[25508-0022-0002] 提拉单晶硅用石英玻璃坩埚和制造该坩埚的方法
[摘要] 本发明的一个目的是提供一种石英玻璃坩埚，该坩埚在硅熔体的表面上振动的产生下降，不产生粗糙表面和方石英斑点，然而甚至在长期运转下也能够稳定并以高产率提拉单晶硅；提供制造该坩埚的方法也是一个目的。用于提拉单晶硅、包括具有底部和直壳部分与为其内表面提供的内层的坩埚基体的石英玻璃坩埚的特征在于，所述的内层包括从最低端到至少0.25H高度的合成石英玻璃层；从至少0.5H延伸到0.8H的天然存在的石英玻璃层或天然存在的石英玻璃和合成石英玻璃的混合层；和内层的其余部分，其选自合成石英玻璃层、天然存在的石英玻璃层以及天然和合成石英玻璃的混合石英玻璃层中的一层；其中，H表示从底部的最低端到壳部分的上端面的高度。本发明还提供一种制造上述石英玻璃坩埚的方法。
[25508-0041-0003] 用于离子源重金属离子引出的坩埚蒸发器
一种用于离子源重金属离子引出的坩埚蒸发器包括：支撑座、加热灯、温度传感器、石墨坩埚、送气杆、支撑板。支撑座固定支撑加热灯、温度传感器、石墨坩埚及支撑板；加热灯为石英碘钨灯；温度传感器为热电偶；石墨坩埚为石墨材料，内装固体蒸发原料；送气管将石墨坩埚的固体原料蒸发成气体，通过送气管进入离子源放电室。本实用新型具有减少温度上升和降低时间；有效减少石墨坩埚温度余热效应；减少原料污染，提高离子纯度等优点。
[25508-0036-0004] 低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置
[摘要] 本发明涉及一种低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置，所述方法包括工艺过程如下：将粒径5～200微米的氮化硅颗粒和去离子水搅拌成乳浆状溶液并保持在喷涂过程中不断搅拌，该溶液在内外压差作用下经雾化头形成氮化硅雾，在低压(10～100Pa)下该雾均匀连续的喷涂到石英坩埚内壁上，水份被烘干后即形成干燥的1～2mm氮化硅薄层，再将涂有在氮化硅涂层的石英坩埚在950～1050℃下进行烧结，形成结构更加致密的氮化硅层。本发明能制备厚度均匀、污染小、结构致密的氮化硅层，且能减少环境污染及减少对作业人员健康危害。
[25508-0008-0005] 石英玻璃坩埚及其制造方法
[摘要] 本发明涉及一种石英玻璃坩埚，该坩埚具有围绕旋转轴对称的不透明石英玻璃坩埚体，该坩埚体具有不透明石英玻璃的外区(3)，外区(3)径向向内向密度至少为2.15G/cm³的透明石英玻璃的内区(4)过渡，该石英玻璃坩埚的特点表现在高纯度和高不透性，或在IR－区的低透射，本发明建议，坩埚体(1)由一种比表面(按BET)为0.5m²/g－40m²/g的、捣实密度至少为0.8g/cm³的合成SiO₂－颗粒物制成，该颗粒物由SiO₂基粒的至少部分多孔的聚集物构成。本发明的这种石英玻璃坩埚的制造方法的特征在于，为了制造该坩埚，采用由合成制造的SiO₂－基粒的至少部分多孔的聚集体形成的SiO₂－颗粒物，其比表面(按BET)为0.5m²/g－40m²/g，而且加热这样进行，即由透明石英玻璃形成内区(4)时，玻璃化锋面由内向外移动。
[25508-0030-0006] 电弧涂层石英玻璃坩埚的生产设备及其制造工艺
[摘要] 本发明公开了一种能提高石英玻璃坩埚内壁纯度，减少内壁气泡密度的电弧石英玻璃坩埚的生产设备及其制造工艺。包括石墨模具，在石墨模具内设有石英加料棒，石英加料棒与加料瓶相通，在石英加料棒的中间设有旋转接头，在加料瓶内设有振动器。本发明采用可调控的电磁振动，通过调整电流达到调整震动的目的，保证高纯水晶粉在所需时间内，按照特定的流速让粉料均匀地加到坩埚内。同时，通过调节旋转接头，使石英加料管以一定角度往返摆动，而使水晶粉料均匀地喷涂到坩埚内壁不同位置。能抵御在长时间内抗析晶能力，更高温状态下具有机械强度的产品。
[25508-0004-0007] 用于改善无位错性能的表面处理过的坩埚
[摘要] 一种在晶体生长过程中熔化并容纳半导体材料的坩埚。此坩埚包含一个带有底壁和从底壁向上延伸并界定用来容纳熔融的半导体材料的腔体的侧壁结构的透明石英本体。侧壁结构有一个内表面和一个外表面。第一基本上析晶化的石英层促进内表面的均匀融化并从而在晶体从熔融半导体材料拉出时，显著地减小了结晶石英粒子向熔融半导体材料的释放。第二基本上析晶化的石英层加强了透明石英本体。
[25508-0010-0008] 钨掺加层坩埚及其制造方法
[摘要] 揭示一种用于制造石英坩埚的方法，在此坩埚内表面，外表面或是内、外两表面具有一个钨掺加层。坩埚的一个或多个表面暴露于一蒸汽钨源，将钨退火渗入到坩埚表面，而生成一个钨掺加层，起到与用于拉晶过程的无泡层相同的作用。
[25508-0005-0009] 用磁悬浮冷坩埚提拉稀土——铁单晶的方法
[摘要] 本发明公开了一种用磁悬浮冷坩埚提拉稀土一铁（Ｔｂ_ＸＤ_ｙ１－ｘＦｅ_２－ｗ）单晶的方法。本发明与常规使用ＢＮ石英坩埚提拉法和模具铸造法相比，具有避免坩埚或模具本身对熔体的污染和溶体对坩埚的侵蚀，生长单晶纯度高，坩埚可重复使用等优点，本发明与采用磁悬浮冷舟水平区熔技术相比，具有单晶取向度高，可利用尺寸大等优点。
[25508-0017-0010] 一种熔铝坩埚
[摘要] 本实用新型涉及一种坩埚，确切地说是一种熔铝坩埚，它是埚底、埚体和埚沿铸成一体，其特征在于：由铬9硅2制成的埚体内有一与其铸成一体的石英砂内胆。本坩埚不仅伸张率大，耐腐蚀，使用寿命长，而且熔铝过程保温性能好，结构简单，生产成本低。
[25508-0020-0011] 直拉硅单晶制备用坩埚
[25508-0034-0012] 石英玻璃坩埚以及处理石英玻璃坩埚表面的方法
[25508-0003-0013] 环状电弧生产石英玻璃坩埚的工艺和装置及石英玻璃坩埚
[25508-0007-0014] 坩埚及其制造方法
[25508-0016-0015] 石墨坩埚
[25508-0026-0016] 经电解精炼的高纯度石英坩埚及其制造方法和拉制方法
[25508-0023-0017] 石英玻璃坩埚的重整方法
[25508-0048-0018] 托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托
[25508-0014-0019] 耐用铸铁坩埚
[25508-0033-0020] 用于多晶硅结晶的不透明石英坩埚及其制造方法
[25508-0050-0021] 多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂装置
[25508-0019-0022] 石英陶瓷坩埚漏料成型法装炉结构
[25508-0013-0023] 可多次使用的石英玻璃生产用石墨坩埚
[25508-0002-0024] 表面改性的石英玻璃坩埚及其改性方法
[25508-0038-0025] 以石英坩埚为原料制备方石英材料的方法
[25508-0044-0026] 晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置
[25508-0045-0027] 电弧涂层石英玻璃坩埚的生产设备
[25508-0042-0028] 直拉法单晶硅生产用石英坩埚
[25508-0046-0029] 石英坩埚熔制机的埚体
[25508-0031-0030] 石英玻璃坩埚及其制造方法和用途
[25508-0025-0031] 石英玻璃坩埚的制造方法
[25508-0032-0032] 间歇式运行中频炉石英坩埚的欠烧结烘炉方法
[25508-0011-0033] 一种石英坩埚用石英砂的制备方法
[25508-0024-0034] 石英玻璃物质的增强方法及增强的石英玻璃坩埚
[25508-0021-0035] 石英玻璃坩埚及其制造方法
[25508-0039-0036] 内层透明电弧石英坩埚熔制机
[25508-0043-0037] 一种操作方便的石英坩埚
[25508-0047-0038] 一种石英陶瓷坩埚
[25508-0029-0039] 晶体生长的石英坩埚镀碳膜方法与装置
[25508-0006-0040] 一种石英坩埚/管涂碳方法
[25508-0018-0041] 一种生产石英坩埚用石墨坩埚模具
[25508-0012-0042] 氮化硅涂层坩埚
[25508-0001-0043] 石英玻璃坩埚的表面改质方法和表面改质坩埚
[25508-0037-0044] 坩埚保持部件及其制造方法
[25508-0035-0045] 多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法
[25508-0009-0046] 制造旋转对称的石英玻璃坩埚的方法和装置
[25508-0049-0047] 用于多晶硅结晶的石英坩埚
[25508-0027-0048] 用新材料制作的钨管、出料台及坩埚
[25508-0015-0049] 一种石英坩埚
[25508-0051-0050] 多晶硅铸锭用高纯石英坩埚专用烧结炉

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