最大漏极电流: | 2000 | 材料: | N-FET硅N沟道 |
种类: | 结型(JFET) | 型号: | HX2N60 |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | 品牌: | HX |
用途: | S/开关 | 沟道类型: | N沟道 |
导电方式: | 增强型 | 低频噪声系数: | 30 |
极间电容: | 35 |
HX2N60是一颗N沟道开关MOSFET管,主要用于小功率开关电源与适配器上,HX2N60与我司的CRE2263结合,具有极高的性价比,HX2N60广泛用于开关电源、LED驱动电源、充电器中,具高稳定性与低成本的特性。其TO-251,TO-252,TO-220F的多封装形式,方便开发人员在各种环境下选用。
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