发布信息 当前位置: 首页 > 中国智造 > 电子元器件 > 场效应管 >
2N60 MOS 场效应管 小体积封装
2N60 MOS 场效应管 小体积封装
2N60 MOS 场效应管 小体积封装
2N60 MOS 场效应管 小体积封装
2N60 MOS 场效应管 小体积封装
销售热线:

2N60 MOS 场效应管 小体积封装

address  北京
品 牌: HX 
型 号: HX2N60 
单 价: 0.60元/个 
起 订:  
供货总量:
发货期限: 自买家付款之日起 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2013-06-17
即时询单   立即购买  加入购物车
 
 
产品详细说明 收藏此产品
最大漏极电流: 2000 材料: N-FET硅N沟道
种类: 结型(JFET) 型号: HX2N60
封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 品牌: HX
用途: S/开关 沟道类型: N沟道
导电方式: 增强型 低频噪声系数: 30
极间电容: 35

HX2N60是一颗N沟道开关MOSFET管,主要用于小功率开关电源与适配器上,HX2N60与我司的CRE2263结合,具有极高的性价比,HX2N60广泛用于开关电源、LED驱动电源、充电器中,具高稳定性与低成本的特性。其TO-251,TO-252,TO-220F的多封装形式,方便开发人员在各种环境下选用。

免责声明:本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请第一时间告知,我们将根据您提供的证明材料确认版权并立即删除内容。

相关评价
 
更多本企业其它产品
  •   联系TA            进入集群
  • 联系人: 张洪伦(先生)