SI2302N沟道增强型功率MOSFET
该SI2302采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于电池保护或其它开关中的应用。
总体特征
●VDS = 20V，id= 4A
RDS（ON）＜59mΩ@ VGS = 2.5V
RDS（ON）< 45mΩ@ VGS = 4.5V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装。
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由参与导电，也称为。它属于电压控制型。具有高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和晶体管的强大竞争者。场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与相比，场效应管具有如下特点。
特点
（1）场效应管是电压控制，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的输入端极小，因此它的很大。
（3）它是利用多数导电，因此它的较好；
（4）它组成的的电压放大要小于三极管组成放大电路的放大系数；
（5）场效应管的抗能力强；
（6）由于不存在杂乱的少子扩散引起的，所以噪声低。