♦ ST BC856 硅外延PNP三极管介绍及技术参数

产品名称：硅外延型PNP三级管BC856（PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor )

主要用途：开关及放大（switching and amplifier applications）

封装方式：SOT-23

同类产品：

ST 硅外延型PNP三级管BC856绝对最大额定参数（Abosolute Maximum Ratings,T_a=25^oC）,如下表所示：

参数描述（Parameter）	符号（Symbol）	値（Value）	单位（Unit）
集电极-发射极电压 Collector Emitter Voltage	-V_CEO	65	V
集电极-基极电压 Collector Base Voltage	-V_CBO	80	V
发射极-基极电压 Emitter Base Voltage	-V_EBO	5	V
集电极电流 Collector Current	-I_C	100	mA
总耗散功率 Poverty Dissipation	P_tot	200	mW
结温 Junction Temperature	T_j	150	^oC
存储温度范围 Storage Temperature Range	T_stg	-65 ~ +150	^oC

硅外延型PNP三级管BC856三极管电气特性（Characteristics,T_a=25^oC）,如下表所示：

参数描述（Parameter）	符号（Symbol）	最小値（Min.）	最大値（Max.）	单位（Unit）
直流放大系数（DC Current GAIn ） at -V_CE= 5 V, -I_C= 2 mA Current Gain Group A B C	h_FEh_FE h_FE	125 220 420	250 475 800	- - -
集电极-发射极击穿电压 Collector Emitter Breakdown Voltage at -I_C=10mA	-V_(BR)CEO	65	-	V
集电极-基极击穿电压 Collector Base Breakdown Voltage at -I_C=10μA	-V_(BR)CBO	80		V
发射极-基极击穿电压 Emitter Base Breakdown Voltage at -I_E=1μA	-V_(BR)EBO	5	-	V
集电极反向截止电流（反向饱和电流） Collector Base Cutoff Current at -V_CB= 30V	-I_CBO	-	15	nA
发射极-集电极反向截止电流 Emitter Cutoff Current at -V_EB=6V	-I_EBO	-	100	nA
集电极发射极饱和电压（Collector Emitter Saturation Voltage） at -I_C=10 mA, -I_B=0.5 mA at -I_C=100 mA, -I_B=5 mA	-V_{CE sat} -V_{CE sat}	- -	0.3 0.65	V V
基极饱和电压（Base Saturation Voltage） at -I_C= 2 mA, -V_CE= 5 V at -I_C= 10 mA, -V_CE= 5 V	-V_BE（0n） -V_BE（0n）	0.6 -	0.75 0.82	V V
特征频率（Gain Bandwidth Product ） at -V_CE=5V, -I_C=10mA	f_T	-	100	MHZ

如果需要帮助，请联系：王忠元先生 (经理) 13296500050 吕华念先生 13164693210 和我联系

硅外延型PNP三级管BC856产品特性曲线：

♦ 先科ST系列二极管、三极管及电容器产品证书

♦ ST系列产品RFID防伪认证

为了保证您的利益，购买先科ST系列产品请注意如图所示的品牌标志，如果对产品有疑问，请到泰丰国际网站进行防伪认证。认证地址如下：

http://www.semtech.net.cn/cn/epcode/epCode.htm

♦ 关于我们

武汉投创电子有限公司隶属于泰丰国际集团有限公司，为香港交易所主板上市之公司。集团其中主要成员－先科电子有限公司创立于八十年代，从营销电子元器件,逐步成长为极具现代化规模的<strong<半导体<strong<分立器件制造商。于二零零三年开设的现代化厂房极具规模，现时每月生产量达二="" 十亿件半导体分立器件成品。="" 九十年代="" 初，="" 在不少人以为集成电路可以完全取代分立器件的时="" 候,泰丰集团却继续发展分立器件的路向并成功在电子元器件市场建立起自己的<em<二、三极管<="" em<销售品牌－"先科"("st")。="" 二零零三="" 年于="" 东莞设置占地一百四十多亩的新科技开发研制中心和现代化生产基地后，泰丰集团已成功研发改良并生产="" sod="" 系列二极管产品。到二零零五="" 年，="" 泰丰集团于生产在线加入了="" sot-23="" 和="" sot-323="" 系列二、三极管，以及="" sot-89="" 系列三极管的生产。至二零零六="" 年，一系列新="" 产品如="" to-220="" 、="" to-251="" to-252="" 等二、三极管亦开始相继推出，二零零九年,="" 开始了do-213aa二极管的生产。

武汉投创电子科技有限公司
电话：王忠元 13296500050 吕华念： 13164693210
地址：中国湖北武汉市江岸区武汉市解放大道1092号世纪皇冠大厦1301室
邮编： 430000
公司主页： http://www.semtech.hk.cn
http://whtouchuang.cn.alibaba.com