江西新华半导体材料有限公司始建于1985年，注册资金2000万元，地址位于世界自然、文化遗产庐山的北麓，占地约55亩，厂房面积20000平方米。原来专业生产全系列高频感应加热电源设备和自动化淬火机床设备等产品，现在已经将产品线延伸至多晶硅、单晶硅、蓝宝石等行业的加工设备。我公司的产品在汽车配件热处理、电真空、多晶硅材料、单晶区熔炉等众多行业占据着领先地位。目前，我公司已发展为一家具备较高研发能力和生产能力的高新技术企业。

     2008年，我公司开始研发区熔炉设备，2011年，已经研发成功了QR-3、QR-4、QR-6等型号区熔炉设备。这些区熔炉设备在江西新华半导体材料有限公司、中国电子科技集团46所等公司已经得到了成功地应用。

公司拥有近30年的历史，是一家具备较高研发能力和生产能力的生产型企业。目前已实现区熔炉制造→单晶硅棒拉制→单晶硅片切片为一体的生产及销售。我司一直坚持“质量第一”的生产方针,将以优良的品质,合理的价格,完善的服务为您服务。热诚欢迎各界朋友前来参观考察、洽谈业务。

单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。

       单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。

       区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

用途：制造半导体元器件的芯片，用在大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等.